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正常运行情况下电流互感器的磁通量是相抵消的，磁通密度很小电流互感器二次侧路情况下当电流互感器次级绕组路时，这时候一次电流如果没有变化，二次回路断，或者电阻很大，那么二次侧的电流为0，或者非常小，二次线圈或铁芯的磁通量就很小，不能抵消掉一次磁通量。这时候一次电流全部变为励磁电流，使铁心饱和，这个变化是突然的，叫突变，它的磁通密度高达几个特斯拉以上。磁通密度突变，二次电压很高电流互感器二次路的后果这种情况后出现后，会产生一下后果：1.二次产生数千伏电压（这个没有验证过，是照抄的理论），高电压可能击穿电流互感器的绝缘，使整个配电设备外壳带电，也可能让检修人员触电，有生命危险。接地了以后，在变压器变电过程中，也可以避免相电压超过某个范围值从而烧掉设备。另外还可以避免雷击和静电问题引起的设备绝缘击穿，适当时候自动释放电荷到大地里边去。中性线在发电厂这边接地后，还从中性线本身单独引出了一条N线和一条PE线，这条N线就是我们常说的零线，用来引导不平衡的相电流作用，所以零线是参作的，零线是不能再次接入大地的。而PE线纯粹是为了考虑安全保护作用的，地线PE可以反复在一些地方接入大地里边去，这样让它看起来更加牢靠一点。当2脚有控制电压时，光电耦合器内部的发光二极管发光，内部的光敏三极管导通，三极管VT的基极电压被旁路，VT截止，集电极电压很高，该较高的触发电压送到晶闸管VS1,VS2的G极。VS1,VS2的导通分下面两种情况。若交流电压U的极性是左正右负，该电压对VS1来说是正向电压（U+对应VS1的A极），对VS2来说是反向电压（U-对应VS2的A极），VS1,VS2虽然G级都有触发电压，但只有VS1导通，VS1导通后，有电流流过负载RL，电流路径是：U左正--VS1--VD2--RL--U右负。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。为了解决电压不均衡的问题，需在两个电解电容两端分别并联阻值相同的均压电阻。逆变电路：将直流电（直流母线）转换成交流电的电力电子电路。在逆变桥里的多个IGBT组成。每个IGBT里都集成一个续流二极管，其作用是为电机的定子绕组反馈能量（电机发电）回路。当电机处于发电状态时，其电能可通过续流二极管流向直流回路，电解电容充电。变频器有哪些功能特点？1.软启动功能用市电直接启动电机，其启动电电流为电机额定电流的5-7倍。